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    半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。

    主要参数　　

特征频率fT 　　当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。 　　

工作电压/电流 　　用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。 　　

hFE 　　电流放大倍数。 　　

VCEO 　　集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。 　　

PCM 　　最大允许耗散功率。